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시장 읽기 · 데이터 2026년 10월 19일 월요일 · 테크
서울경제 · 로이터 10월 18일 보도 · 회사 공식 확인 전

NVHBM이란, 삼성 HBM에 TSMC 3나노가 들어가면 무엇이 바뀌나

서울경제가 10월 18일 업계 소식통을 인용해 보도한 데 따르면, 삼성전자는 엔비디아의 맞춤형 HBM인 NVHBM의 베이스다이를 TSMC 3나노 공정으로 만들기로 했다. 엔비디아가 메모리 3사에 같은 TSMC 공정과 6세대(1c) D램 코어다이를 요구했다는 내용이다. 삼성 · 엔비디아 · TSMC는 공식 확인하지 않았고 물량도 나오지 않았다.

이 글의 목차
NVHBM은 같은 HBM 탑에서 맨 아래층의 주인과 할 일이 바뀐다 단면 개념도
위 세 칸 = D램을 쌓은 코어다이 · 가운데 칸 = 베이스다이 · 아래 회색 = GPU
서울경제 10월 18일 보도 기준. NVHBM에서는 엔비디아가 설계한 메모리 컨트롤러가 GPU에서 베이스다이로 내려간다(엔비디아 8월 26일 블로그). 실제 적층 수와 크기는 비례가 아니며 공개되지 않았다.
1 보도의 핵심은 HBM 맨 아래층이다. 삼성전자가 NVHBM 베이스다이를 자사 4나노 대신 TSMC 3나노로 만든다는 내용이다.
2 엔비디아는 3사에 같은 조건을 걸었다고 전해졌다. 베이스다이는 TSMC 공정, D램 코어다이는 6세대(1c)로 맞추라는 요구다.
3 계약 · 물량은 나오지 않았다. 세 회사 모두 공식 확인을 하지 않아 "수주 확정"이라고 부를 근거는 아직 없다.
베이스다이 공정 NVHBM · 보도 TSMC 3나노 지금 삼성은 자사 4나노
코어다이 3사 공통 요구 · 보도 1c D램 10나노급 6세대
대역폭 표준 HBM4E 대비 · 엔비디아 최대 +30% 스택당
HBM 전력 표준 HBM4E 대비 · 엔비디아 −15% 최대치
2027년 HBM 수요 UBS 전망 · 비트 기준 615억Gb 올해보다 +91%
삼성전자 종가 10월 16일 215,500원 9월 최고 종가 대비 −24.5%

2026년 10월 19일 09:00 기준. 보도 이후 첫 국내 거래일은 10월 19일이라 주가 반응은 아직 반영되지 않았다. 대역폭 · 전력 수치는 엔비디아가 표준 HBM4E 샘플과 비교해 밝힌 최대치다.

1 NVHBM이란

NVHBM이란 무엇이고 베이스다이는 어떤 칩인가

NVHBM은 엔비디아가 2026년 8월 26일(미국 시간) 공개한 맞춤형 HBM 기술로, GPU 안에 있던 메모리 컨트롤러를 HBM 맨 아래 칩인 베이스다이로 옮긴 것이다. 엔비디아 블로그는 이를 "주요 메모리 회사들과 함께 설계 · 검증한 맞춤형 HBM 베이스다이 기술"이라고 소개했다.

베이스다이는 D램 칩(코어다이)을 여러 층 쌓은 HBM 탑의 맨 아래에 깔리는 로직 칩이다. 위층 D램과 GPU 사이에서 신호를 주고받는 문지기 역할을 한다. 그동안 메모리 회사가 만들어 왔지만, 회로가 복잡해질수록 파운드리(위탁 생산) 공정이 필요해졌다.

엔비디아가 밝힌 효과는 넷 다 표준 HBM4E와 비교한 최대치다 단위: %
막대 길이 = 바뀌는 폭(늘어나는 것과 줄어드는 것 모두 크기로)
메모리 대역폭스택당
+30%
같은 탑이 초당 더 많이 나른다
HBM 전력소비 전력
−15%
1GW 센터면 XPU 최대 1만5천 개 더(회사 계산)
연산 다이 면적GPU·XPU 쪽
+25%
컨트롤러가 빠진 자리
PHY·지원 면적입출력 회로
−67%
JEDEC HBM4E 규격 대비
엔비디아 블로그 두 편(2026년 8월 26일, 미국 시간) 기준. 회사가 표준 HBM4E 샘플과 비교해 잰 최대치이며 실제 제품 성능은 아직 나오지 않았다.

컨트롤러가 내려가면 GPU 쪽 입출력 회로가 작아지고, 남는 면적에 연산 회로를 더 넣을 수 있다. 대신 베이스다이는 단순한 연결판이 아니라 엔비디아가 설계한 로직을 담는 칩이 되므로, 어느 공장에서 어떤 공정으로 만드느냐가 메모리 3사에 같은 숙제가 된다. 첫 협력 상대로는 아마존의 칩 설계 조직 안나푸르나 랩스가 이름을 올렸다.

2 삼성전자

삼성 HBM 베이스다이는 왜 TSMC 3나노로 가나

삼성 HBM 베이스다이가 TSMC로 가는 이유는 엔비디아가 메모리 3사에 같은 공정을 요구했기 때문이라고 서울경제가 업계를 인용해 전했다. 공급사마다 베이스다이 공정이 다르면 성능을 고르게 맞추기 어렵고, 엔비디아가 회사별로 따로 검증하는 부담도 커진다는 설명이다.

삼성전자 반도체(DS) 부문은 내부 검토 끝에 이 요구를 받아들였다고 보도됐다. 지금 삼성은 HBM4와 양산 검증 중인 HBM4E의 베이스다이를 자사 4나노로 만들고, 그 라인은 화성 17라인과 평택 P3 일부에만 있다. 서울경제는 이번이 삼성이 HBM 제조 단계에서 TSMC와 손잡는 첫 사례라고 적었다.

수율 차이가 TSMC를 고른 이유로 꼽힌다 단위: %
수율 = 웨이퍼 한 장에서 쓸 수 있는 칩의 비율
TSMC 3나노업계 추정
90% 이상
삼성 2나노 SF2업계 추정
60% 안팎
두 값은 회사 공시가 아니라 서울경제가 전한 업계 추정이다. 삼성은 자사 2나노로도 NVHBM 베이스다이 생산을 검증하고 있다고 보도됐다.
삼성은 엔비디아용만 바꾸고 나머지는 턴키를 지킨다 보도 기준
항목표준 HBM4·HBM4ENVHBM
베이스다이삼성 4나노 (자사 파운드리)TSMC 3나노
코어다이1c D램 (화성 · 평택)1c D램 (3사 공통 요구)
생산 방식턴키 (설계부터 패키징까지)베이스다이만 외부
다른 고객AMD 등 맞춤형도 턴키 유지—
예비 경로—삼성 2나노 검증 중
서울경제 영문판 · 국문 10월 18일 보도 기준. 회사 확인 전이다.

NVHBM 수요가 TSMC 생산능력을 넘어설 경우에 대비해 삼성은 자사 파운드리 생산 가능성도 열어 두었다고 로이터가 서울경제를 인용해 전했다. 표준 HBM과 다른 고객의 맞춤형 제품은 지금처럼 설계부터 생산까지 한 회사가 맡는 턴키 방식을 유지할 계획이다.

3 3사 비교

SK하이닉스 · 마이크론 HBM 베이스다이도 TSMC가 만드나

SK하이닉스 HBM 베이스다이는 이미 TSMC가 만든다. 트렌드포스가 인용한 이데일리 보도에 따르면 SK하이닉스는 HBM4 베이스다이에 TSMC 12나노를 쓰고, HBM4E와 이후 맞춤형 HBM에는 TSMC 3나노를 우선 배정했다. 마이크론도 HBM4E부터 베이스다이를 외부 파운드리에 맡기며, 상대는 TSMC로 예상된다(디일렉).

메모리 3사 모두 베이스다이에서 TSMC 쪽으로 기울고 있다 칸 = 제품 세대
HBM4
HBM4E
NVHBM
SK하이닉스엔비디아 주력 공급
TSMC 12
TSMC 3
요구
삼성전자턴키 전략
삼성 4
삼성 4
TSMC 3
마이크론자체 → 외부
자체
외부
외부
채운 칸 = 양산 · 공개로 확인된 것, 옅은 다른 칸 = 양산 검증 중, 점선 = 보도 · 예상. 숫자는 나노 공정. SK하이닉스 칸은 이데일리, 마이크론 칸은 디일렉 보도를 트렌드포스(10월 9일)가 옮긴 것이다.

그래서 이번 보도에서 새로운 쪽은 삼성이다. 메모리 · 파운드리 · 패키징을 한 회사에서 끝내는 턴키가 삼성의 차별점이었는데, 엔비디아용 NVHBM에서는 3사가 같은 TSMC 베이스다이를 쓰게 된다. 엔비디아 입장에서는 공급사가 달라도 맨 아래층이 같아 여러 회사에서 나눠 사기가 쉬워진다.

4 실적 경로

NVHBM은 삼성 · SK하이닉스 · TSMC 실적에 어떻게 닿나

NVHBM이 메모리 회사 실적에 닿는 길은 엔비디아 인증과 실제 물량이다. 보도는 그 앞 단계인 "공정 조건 수용"까지만 전했다. 아래 탭은 보도 사실이 아니라 이 글의 해석이며, 회사마다 기회 · 부담 · 확인할 숫자를 나눴다.

기회

엔비디아 인증과 물량을 얻으면 HBM 점유율을 되찾을 길이 생긴다. 공급 부족이 이어지는 2027년에는 세 번째 공급사도 물량을 받을 여지가 크다.

부담

베이스다이를 TSMC에 맡기면 그만큼 삼성 파운드리 매출 기회가 줄고, 외주비와 TSMC 생산능력에 기대는 몫이 생긴다.

확인할 숫자

엔비디아 NVHBM 인증 완료 시점, 삼성 2나노 수율이 60% 안팎에서 얼마나 오르는지.

기회

이미 TSMC 베이스다이로 HBM4를 만들어 엔비디아에 공급해 온 경험이 그대로 강점이다.

부담

같은 규격에 삼성이 들어오면 엔비디아가 공급사를 고를 폭이 넓어져 경쟁이 세진다.

확인할 숫자

NVHBM 공급 비중, HBM 판매단가가 유지되는지.

기회

GPU뿐 아니라 HBM 맨 아래층까지 3나노 수요가 붙는다. 메모리 3사가 모두 고객이 될 수 있다.

부담

3나노 라인이 이미 빠듯하다. 대만 타이난 팹18에 새 3나노 라인 두 곳을 2027년 상반기와 2028년 상반기에 돌린다고 서울경제가 전했다.

확인할 숫자

3나노 생산능력 배분, 베이스다이 단가.

기회

공급사별 베이스다이 차이가 줄면 여러 회사에서 나눠 사고 물량을 늘리기 쉽다.

부담

효과는 수율과 패키징 호환성이 받쳐 줘야 나온다. 3나노 외주와 첨단 패키징은 원가를 올린다.

확인할 숫자

NVHBM을 처음 쓰는 제품과 시점(회사 미공개).
2027년 HBM은 공급이 수요를 약 1할 밑돈다 단위: 억Gb
비트 기준 · Gb = 기가비트
수요2027년 전망
615
신규 출하2027년 전망
546
UBS 전망을 서울경제가 인용했다. 서울경제는 부족분을 "10% 가량"으로 적었고, 두 숫자로 셈하면 약 11.2%다.
보도 전 두 메모리주는 9월 고점에서 크게 내려와 있었다 단위: %
9월 16일 이후 가장 높은 종가 대비 10월 16일 종가
삼성전자9/23 → 10/16
−24.5%
SK하이닉스9/21 → 10/16
−31.9%
일봉 종가 기준(한국거래소, 이 글 계산). 10월 15일 코스피 서킷브레이커가 낀 구간이라 이 보도와는 관계없는 하락이다.

가격 쪽에서는 원가와 단가의 줄다리기다. 3나노 외주와 고급 패키징은 HBM 한 개의 원가를 올리지만, 마이크론 최고운영책임자(COO)는 NVHBM이 더 높은 판매단가와 마진을 줄 것으로 본다고 말했다(트렌드포스). 판매단가와 수율 개선이 늘어난 원가를 넘는지가 실적의 관건이다.

5 자주 묻는 것

삼성은 NVHBM을 수주했나? 자주 묻는 네 가지

1 삼성전자가 엔비디아 NVHBM을 수주했나? +

확정이 아니다. 서울경제가 업계 소식통을 인용해 "엔비디아의 공정 요구를 받아들였다"고 전했을 뿐, 삼성 · 엔비디아 · TSMC 누구도 계약이나 물량을 발표하지 않았다.

"공정 조건 수용"과 "공급 계약"은 다른 단계다.
2 베이스다이와 코어다이는 무엇이 다른가? +

코어다이는 데이터를 담는 D램 칩이고, 베이스다이는 그 아래에서 신호를 정리해 GPU와 주고받는 로직 칩이다. NVHBM에서는 베이스다이에 엔비디아 메모리 컨트롤러가 들어간다.

코어다이는 메모리 공장, 베이스다이는 파운드리 공정이 필요하다.
3 TSMC에 맡기면 삼성 파운드리는 손해인가? +

엔비디아용 NVHBM 베이스다이만 놓고 보면 그만큼 매출 기회가 줄어든다. 다만 표준 HBM과 다른 고객 맞춤형은 자사 4나노 턴키를 유지하고, 2나노로 NVHBM 생산도 검증 중이라고 보도됐다.

삼성 2나노 수율이 예비 경로의 열쇠다.
4 NVHBM은 언제 어떤 GPU에 들어가나? +

엔비디아는 발표하지 않았다. 블로그에는 "앞으로의 GPU에 쓸 기술"이라고만 적었고, 2028년 파인만 GPU가 첫 적용처일 수 있다는 보도(윅프테크, 트렌드포스 인용)가 있다.

표준 HBM4E 본격 출하도 2027년으로 예상된다(테크레이더).
5 [수치 점검] 엇갈리거나 확인하지 못한 것 +

① 서울경제 단독은 영문판 10월 18일 16:47, 국문 후속 17:59에 실렸고 로이터는 같은 날 서울발로 옮겼다. 원문에 적힌 "21:08"은 확인하지 못했다. ② 엔비디아가 3사에 요구했다는 대목은 서울경제 영문판(국문 AI 번역)과 로이터에 있고, 국문 후속 기사에는 없다. ③ 연산 면적은 엔비디아 블로그 안에서 25%와 30%가 함께 쓰였다. 이 글은 표에 적힌 25%를 썼다. ④ PHY 면적은 서울경제 60%, 엔비디아 67%(지원 영역 포함)다.

확인 불가 항목은 회사 발표가 나오면 고친다.
6 다음에 확인할 것

NVHBM 공급망, 10월 19일부터 확인할 다섯 가지

NVHBM 보도가 실적으로 이어지는지는 회사 발표와 인증 소식으로 가려진다. 날짜가 정해진 것과 아닌 것을 나눠 적었다.

10월 19일 (월)
보도 뒤 첫 국내 거래일. 삼성전자 · SK하이닉스 주가 반응과 회사 해명 · 공시 여부.
10월 21일 (수)
엔비디아 GTC 베를린 기조연설. 엔비디아 블로그 안내 일정. NVHBM 언급이 나오는지.
2027년 상반기
TSMC 팹18 새 3나노 라인 양산. 두 번째 라인은 2028년 상반기(서울경제).
2027년
표준 HBM4E 본격 출하 예상. NVHBM 양산은 그 뒤일 수 있다(테크레이더).
2028년
엔비디아 파인만 GPU 예정. NVHBM 첫 적용 가능성이 보도됐다(회사 미확인).
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