HBF·HBM4E 뜻, SEDEX 2026에서 본 메모리 용어 넷과 소부장 지도

HBM4E는 무엇이 늘었나

HBM(고대역폭 메모리)은 D램 칩을 아파트처럼 위로 쌓고, 층을 꿰뚫는 구멍(실리콘관통전극, TSV)으로 엮어 GPU 바로 옆에 붙인 메모리다. 길이 짧고 통로가 많아 한꺼번에 많은 데이터를 나른다. 숫자 뒤 E는 같은 세대의 개량판이라는 뜻이다.

HBM4에서 통로 수가 1,024개에서 2,048개로 두 배가 됐고, HBM4E는 그 통로마다 더 빨리 보낸다. 이번 전시에서 두 회사가 내놓은 제품은 모두 12단 48GB다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 기조연설에서 로드맵을 이렇게 밝혔다(지디넷코리아).

HBF는 HBM과 무엇이 다른가

HBF(고대역폭 플래시)는 HBM과 같은 방식으로 쌓되, 재료를 D램이 아니라 낸드플래시로 바꾼 메모리다. 낸드는 전원을 꺼도 데이터가 남고 같은 면적에 훨씬 많이 담지만, D램보다 느리다. 그래서 HBF는 HBM을 대신하는 게 아니라 HBM과 SSD 사이에 새 칸을 하나 더 만드는 쪽이다.

쓰임새는 AI 추론이다. 큰 모델을 실제로 돌릴 때는 모델 가중치와 대화 기록을 가까이 많이 두는 게 중요해서, 조금 느려도 많이 담는 메모리가 GPU 곁에 있으면 SSD까지 다녀오는 시간을 줄일 수 있다.

8월 공개된 0.7 규격은 연결 방식으로 업계 표준 칩 연결 규격인 UCIe를 택했고, 전기 특성·적층 신뢰성·패키징 가이드·소프트웨어 지침까지 담았다. 다만 양산 일정은 아직 어느 회사도 밝히지 않았다. 삼성전자와 마이크론은 이 컨소시엄에 이름이 없다.

3D 메모리와 피지컬 AI까지, 전시장 용어 넷을 한 줄로

탭을 넘기면 용어마다 한 줄 뜻, 비유, 이번 전시에서 나온 것, 아직 모르는 것을 차례로 볼 수 있다.

SEDEX 2026 참가 소부장은 어느 공정에 서 있나

888부스 전체 명단은 공개 기사로 확인되지 않는다. 대신 주요 보도가 이름을 든 11곳을 칩이 만들어지는 순서대로 세웠다. 칩을 그리는 설계, 웨이퍼에 쓰는 소재·부품, 회로를 새기고 쌓는 장비, 다 만든 칩을 붙이고 시험하는 후공정·검사 순이다.

HBM과 HBF는 모두 "쌓는" 기술이라, 층을 입히는 증착, 깎는 연마, 붙이는 본딩, 다 쌓은 뒤의 검사가 함께 바빠지는 구조다. 다만 이 지도는 공정 위치를 보여 줄 뿐 어느 회사가 수혜를 본다는 뜻이 아니다. 주가는 실적과 수주 공시로 따로 확인해야 한다.

HBF가 HBM을 대체하나? 자주 묻는 다섯 가지

SEDEX 2026 남은 일정과 HBF 다음 단계

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