중국 창신메모리(CXMT)가 10월 10일 상하이 콘퍼런스에서 4F² 셀 구조의 서버용 DDR5 RDIMM을 연말까지 내놓겠다고 밝혔다. 셀 한 칸이 지금의 6F²보다 33% 작은 구조로, 발표 일정만 보면 삼성전자의 양산 목표(2028년)보다 2년 이르다. 다만 속도·용량·수율은 공개되지 않았다.
주가는 10월 14일 종가, 사흘 등락은 10월 8일 종가 대비다. 점유율은 TrendForce 2026년 2분기 D램 매출 기준이다. '2년'은 양산이 확인된 시점끼리의 차이가 아니라 발표된 목표 시점끼리의 차이다.
차오칸위 CXMT(창신메모리) 사장은 10월 9~10일 상하이에서 열린 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 4F² 셀 구조를 쓴 서버용 DDR5 RDIMM(서버용 등록 메모리 모듈)을 연말까지 내놓겠다고 밝혔다. 발언은 10일(토)에 나왔다. 트랜지스터를 수직으로 세우고 게이트가 채널을 둘러싸는 VSG 구조와, 셀과 회로를 다른 웨이퍼에서 만들어 붙이는 하이브리드 본딩을 함께 소개했다.
밝히지 않은 것이 더 많다. 톰스하드웨어는 10월 13일 기준 CXMT의 중국어·영어 뉴스룸에 이 제품의 공식 보도자료가 없고, CXMT 밖에서 시험해 본 제품도 없다고 짚었다.
| 항목 | 공개 여부 | 내용 |
|---|---|---|
| 제품 종류 | 공개 | 서버용 DDR5 RDIMM |
| 출시 시점 | 공개 | 연말까지 — 정확한 날짜는 없다 |
| 셀 구조 | 공개 | 4F², 수직 트랜지스터(VSG) |
| 제조 방식 | 공개 | 웨이퍼 단위 하이브리드 본딩 |
| 특허 | 공개 | 4F² 관련 특허 패밀리 300건 이상 |
| 속도 · 용량 | 미공개 | 확인 불가 |
| 공정 노드 · 다이 밀도 | 미공개 | 확인 불가 |
| 고객사 · 양산 규모 | 미공개 | 확인 불가 |
| 수율 · 외부 검증 | 미공개 | CXMT 밖에서 시험한 제품 없음 |
D램은 데이터 한 비트를 셀 하나에 담는다. 셀은 트랜지스터 하나와 전하를 담는 커패시터 하나로 이뤄진다. F는 그 공정에서 그릴 수 있는 가장 가는 선의 폭이고, 6F²·4F²는 셀 한 칸이 F를 한 변으로 하는 정사각형 몇 개만큼의 넓이를 차지하는지를 뜻한다.
지금 상용 D램 대부분은 6F²다. 4F²는 셀을 2F × 2F 정사각형 안에 넣는다. 그러려면 옆으로 누운 트랜지스터를 세로로 세워야 해서 CXMT는 VSG, 삼성은 VCT(수직 채널 트랜지스터), SK하이닉스는 VG(수직 게이트)라는 이름으로 같은 방향의 기술을 개발해 왔다.
셀만 작아지고 주변 회로는 그대로면 칩 전체는 33%보다 덜 준다. 아래 환산기로 셀 배열 비중과 4F² 적용 비율을 바꿔 보면 감이 온다. 셀 배열이 칩의 절반이라고 두면 웨이퍼당 칩이 약 20% 는다. 삼성이 ISSCC 2026 논문에서 밝힌 "웨이퍼당 다이 20% 이상 증가"와 비슷한 크기다. 머니투데이는 CXMT 첫 제품이 4F²를 일부만 적용할 수 있다고 전했다.
셀 배열 50% · 4F² 적용 100%
추정치다. 셀이 아닌 주변 회로 면적은 그대로라고 두고, 웨이퍼 가장자리 손실과 수율은 넣지 않았다. 셀 배열 비율 50%는 계산을 위한 가정이다.
'2년'은 CXMT의 2026년 말 출시 목표와 삼성전자의 2028년 양산 목표 사이의 간격이다(글로벌이코노믹 10월 13일, 이고르스랩 10월 12일). 둘 다 목표이고, 한쪽은 "출시", 한쪽은 "양산"이다. 출시가 곧 대량 생산 준비를 뜻하지는 않는다는 지적이 TrendForce 보도에도 실렸다.
| 회사 | 4F² 공개 근거 | 양산 시점 | 함께 쓰는 기술 |
|---|---|---|---|
| CXMT | IEDM 2023 8Gb 연구 시제품 · 특허 300건+ | 2026년 말 출시 목표 | VSG · 하이브리드 본딩 |
| 삼성전자 | ISSCC 2026 16Gb 설계(10nm급) | 2028년 목표(보도) | VCT · 웨이퍼 하이브리드 본딩 |
| SK하이닉스 | VLSI 2025 4F² VG 플랫폼 | 확인 불가 · 10b 노드(보도) | VG · 회로를 셀 아래 본딩 |
| 마이크론 | 2026년 공식 발표 없음 | 확인 불가 | 확인 불가 |
국내 업계는 늦은 게 아니라 고르는 중이라고 말한다. 글로벌이코노믹이 전한 업계 관계자는 "기술력이 부족해서가 아니라 제조 원가와 시장성을 보면서 제품화 시점을 조율하는 것"이라고 했다.
걱정의 핵심은 시점이 아니라 어느 시장이냐다. CXMT는 그동안 PC·모바일용 범용 D램에서 물량을 키웠다. 이번 발표의 첫 제품은 AI 서버 수요로 수익성이 높아진 서버 D램이다. 글로벌이코노믹은 중국 업체가 서버 시장까지 파고들면 한국 업체의 이익 구조가 흔들릴 수 있다고 썼다.
물량도 늘고 있다. CXMT는 9월 5세대 D램 플랫폼 G5 양산을 발표했고, 연말에는 300mm 팹 세 곳에서 월 35만 장 안팎의 생산능력을 갖출 것이라는 전망이 나왔다(글로벌이코노믹, 한 매체 값).
주가는 먼저 반응했다. SK하이닉스는 10월 12일 −4.52%, 13일 −10.09%, 14일 −1.66%로 사흘 동안 15.6% 내렸다. 삼성전자는 12일 −4.39%, 13일 −7.39% 뒤 14일 보합이었다. 미국 마이크론도 현지 12일 −3.88%, 13일 −3.62%였다. 매일경제는 14일 "삼성·SK하이닉스, CXMT 우려에 하락 연장"이라는 영문 기사를 냈다.
| 종목 | 10월 12일 | 10월 13일 | 10월 14일 |
|---|---|---|---|
| SK하이닉스 | −4.52% | −10.09% | −1.66% |
| 삼성전자 | −4.39% | −7.39% | 0.00% |
| 마이크론(미국) | −3.88% | −3.62% | 확인 불가 |
마이크론은 미국 현지 날짜 기준이다. 10월 14일(현지) 장은 이 글 기준 시각에 열리지 않았다. 주가 하락이 모두 CXMT 때문이라고 단정할 근거는 없다.
독일 IT 매체 이고르스랩은 "발표된 일정은 검증된 양산과 같지 않다"고 썼다. 서버용 RDIMM은 소비자용보다 통과해야 할 관문이 많다. 이고르스랩이 꼽은 여섯 가지 가운데 CXMT가 수치로 밝힌 것은 아직 없다.
F는 공정의 최소 선폭이라 회사와 세대마다 다르다. 6F²·4F²는 같은 F에서 셀 넓이를 견주는 단위다.
CXMT는 4F² 제품의 공정 노드를 밝히지 않았다. 이고르스랩은 CXMT G5 플랫폼의 활성 영역 하프피치를 11.95nm로 전했지만, 이것이 4F² 제품에 쓰이는지는 확인 불가다.
F가 다르면 4F²끼리도 셀 크기가 다르다.셀이 작아질수록 누설 전류와 간섭이 커져 수율 확보가 어렵다. 그래서 수직 트랜지스터와 하이브리드 본딩을 함께 쓴다.
같은 면적에 더 담아도 수율이 낮으면 칩 한 개 원가는 오히려 오를 수 있다.
판단 기준은 구조가 아니라 수율과 원가다.삼성은 2026년 2월 ISSCC에서 16Gb 시제품 설계를 냈고, SK하이닉스는 2025년 VLSI에서 4F² 수직 게이트 플랫폼을 발표했다.
국내 업계는 원가와 시장성을 보며 제품화 시점을 조율하는 중이라고 설명한다.
비교할 것은 발표 시점이 아니라 서버 고객에게 실제로 공급되는 시점이다.이번 발표는 HBM이 아니라 일반 서버용 DDR5 RDIMM이다. 이고르스랩은 CXMT가 HBM에서는 뒤처져 있다고 봤다.
대신 범용 서버 D램 물량으로 가격에 압력을 줄 수 있다는 것이 우려론의 요지다.
압박이 먼저 나타날 자리는 범용 서버 D램 가격이다.점유율 "10%"(글로벌이코노믹)는 TrendForce 2분기 매출 기준 9.5%와 같은 흐름의 값이다. 이 글은 9.5%를 쓴다.
셀 면적 감소는 4 ÷ 6으로 계산한 33%다. 일부 기사의 "약 30%"는 어림값이다. 월 35만 장 생산능력은 글로벌이코노믹 한 매체의 전망이다. 콘퍼런스는 9~10일, 차오칸위 사장의 발언은 10일이다.
이 글의 기준은 TrendForce 9.5%와 계산값 33%다.© 2026 LOCATEWISE · 데이터로 읽는 시장
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