다이싱
웨이퍼를 칩으로 분리할 때 속도보다 손상 관리가 중요한 이유를 설명한다.
오늘 배울 것
웨이퍼를 칩으로 분리할 때 속도보다 손상 관리가 중요한 이유를 설명한다. 이 개념이 어느 공정에 쓰이고, 어떤 기업의 제품과 연결되는지 함께 살펴봅니다.
30초 핵심 설명
다이싱은 웨이퍼에 함께 만들어진 회로들을 개별 다이로 분리하는 공정입니다. 회로 사이의 절단 길을 따라 블레이드나 레이저로 가공하며, 잘 작동하던 칩도 가장자리가 깨지면 사용할 수 없게 됩니다.
쉬운 비유로 이해하기
한 판으로 구운 얇은 과자를 금 간 조각 없이 나누는 일과 비슷합니다. 칼의 속도뿐 아니라 받침과 절단 위치도 중요합니다.
비유의 한계 · 실제 칩에는 미세 배선과 여러 막이 있어, 겉으로 보이지 않는 균열도 문제가 됩니다.
공정을 단계별로 살펴보기
- 웨이퍼 지지 · 테이프와 프레임으로 웨이퍼를 지지합니다. 제품에 따라 연삭으로 얇게 만드는 과정과 분리 순서는 달라집니다.
- 절단 길 정렬 · 다이 사이의 스크라이브 레인을 카메라로 찾습니다. 회로 영역을 침범하지 않도록 위치를 맞춥니다.
- 분리 가공 · 재료와 두께에 맞춰 블레이드 또는 레이저 방식을 선택합니다. 레이저 가공 뒤 추가 분리 동작이 필요한 방식도 있습니다.
- 검사와 픽업 · 가장자리 깨짐과 균열을 확인하고 다이를 집어 다음 조립 단계로 옮깁니다. 분리 성공과 전기적 양품은 별도 조건입니다.
원리를 차근차근 이해하기
한 장의 웨이퍼를 나누어도 칩의 가치는 보존해야 한다
다이싱은 웨이퍼 위에 함께 만들어진 여러 회로를 개별 다이로 분리하는 공정이다. 다이는 패키지 안에 들어가는 작은 반도체 조각을 뜻한다. 앞선 웨이퍼 검사에서 전기적으로 정상이라고 판정받아도, 분리 도중 회로 가장자리를 깨뜨리거나 미세한 균열을 만들면 그 가치를 잃을 수 있다. 따라서 목표는 칩 개수를 늘리는 일이 아니라 이미 만들어 놓은 정상 칩을 다음 조립 공정까지 온전히 전달하는 것이다. 칩 사이에는 절단을 위해 설계한 길인 스트리트가 있고, 실제 가공으로 사라진 홈의 폭은 커프라고 한다. 설계상 비워 둔 공간과 실제로 제거한 폭을 구별해야 공정의 여유를 이해할 수 있다.
얇아진 웨이퍼를 받침 없이 자르면 절단 하중으로 휘거나 조각이 움직이기 쉽다. 그래서 일반적인 테이프 기반 공정에서는 웨이퍼를 다이싱 테이프와 링 프레임에 붙여 장비로 운반한다. 테이프는 분리 전에는 웨이퍼를 지지하고, 분리 후에는 작은 칩들의 위치를 유지한다. 칩이 자리를 벗어나면 다음 절단선에 걸리거나 이웃 칩과 충돌할 수 있다. 붙이는 과정에서 생긴 기포나 주름은 국소적으로 지지가 약한 부분을 만들므로, 테이프 부착 품질도 절단 품질의 출발점이다. 회로면을 연삭으로부터 보호하던 백그라인딩 테이프와는 주요 역할이 다르며, 공정 흐름에 따라 테이프를 바꾸거나 옮겨 붙이는 과정이 필요하다.
테이프의 점착력은 강할수록 항상 좋은 것이 아니다. 절단할 때에는 칩을 충분히 붙잡아야 하지만, 조립을 위해 집어 올릴 때에는 과도한 힘 없이 떨어져야 한다. 너무 약하면 절단 중 칩이 움직이고, 너무 강하면 픽업 순간 얇은 칩이 휘거나 깨질 위험이 커진다. UV 반응형 테이프는 자외선을 조사한 뒤 점착력을 낮추어 이 요구를 시간 순서로 나누어 만족시킨다. Nitto 공식 자료가 설명하는 효과도 점착력의 감소이며, 빛이 실리콘을 자르거나 접착제를 완전히 없앤다는 뜻은 아니다. 모든 제품이 UV 방식인 것도 아니므로 테이프 종류, 칩 두께, 후속 픽업 조건을 함께 정해야 한다.
절단 길을 찾는 정렬과 실제 절단 위치의 확인
장비는 웨이퍼의 바깥 원만 보고 모든 절단선을 결정하지 않는다. 카메라로 기준 무늬나 스트리트 주변의 구조를 찾아 웨이퍼가 얼마나 이동하고 회전했는지 판단한 뒤, 설계된 칩 간격에 맞춰 절단 경로를 정한다. 프레임에 조금 비뚤게 붙어 있어도 회전 오차를 보정할 수 있어야 한다. 다만 웨이퍼가 휘거나 국소적으로 변형되면 한 지점에서 얻은 보정값이 전체 면에 그대로 맞지 않을 수 있다. DISCO의 공식 장비 설명에 여러 절단선에서 위치를 잡거나 중심부와 가장자리의 차이를 보정하는 기능이 나오는 이유다. 이런 기능의 존재는 각 제품에서 같은 정확도가 자동으로 보장된다는 뜻이 아니라 변형의 형태에 맞게 정렬 방법을 골라야 한다는 뜻이다.
스트리트 폭이 넓으면 위치 오차와 가장자리 손상을 받아 줄 여유가 커지지만, 회로를 만들 수 있는 웨이퍼 면적은 줄어든다. 반대로 스트리트를 좁히면 배치 가능한 칩 수가 늘어날 여지가 있지만 절단 폭, 정렬 오차, 치핑을 함께 줄여야 한다. 치핑은 절단 가장자리가 작은 조각으로 떨어져 나가는 현상이다. 안전한 절단을 생각할 때는 칼날 폭만 빼는 것이 아니라 실제 홈 폭과 좌우 위치 흔들림, 홈 바깥으로 번지는 손상까지 고려해야 한다. 단순한 좌우 대칭 모델에서는 한쪽 여유를 스트리트 폭과 커프 폭 차이의 절반에서 위치 오차와 손상 폭을 뺀 값으로 생각할 수 있다. 이 계산은 직관을 주는 교육용 모델이며 실제 허용치는 회로의 보호 구조와 고객 규격에 따라 달라진다.
영상에서 길을 제대로 찾았다는 사실과 실제 칼날이 그 길을 지나갔다는 사실도 구분해야 한다. 칼날 장착 상태, 마모, 장비의 기계적 변화 때문에 명령한 경로와 가공된 홈이 달라질 수 있기 때문이다. 그래서 절단 뒤 카메라로 커프 위치와 폭을 확인하고, 필요하면 공정 조건을 점검한다. 홈이 갑자기 넓어졌다면 단순한 위치 이동인지, 가장자리가 부서져 넓어 보이는지부터 나누어 보아야 한다. 모든 불량을 정렬 오류로 취급하면 절단 하중이나 지지 문제를 놓치고, 모든 불량을 칼날 문제로 취급하면 기준 무늬의 오인식을 놓친다. 불량이 특정 방향, 웨이퍼 가장자리, 가공 후반부 중 어디에 집중되는지를 기록하면 원인 후보를 줄일 수 있다.
블레이드와 레이저는 서로 다른 방식으로 분리한다
블레이드 다이싱은 다이아몬드 연마입자가 들어 있는 얇은 원형 날을 회전시켜 재료를 제거한다. 작은 입자들이 반복해서 접촉하며 홈을 만들고, 공급되는 가공수는 가공점을 식히고 생긴 입자를 운반한다. DISCO의 블레이드 원리 설명에서 확인할 수 있는 핵심은 이 절삭과 냉각의 결합이다. 실리콘처럼 깨지기 쉬운 재료에서는 제거하려는 영역 가까이에 응력이 집중되고, 조건이 맞지 않으면 균열이 남기려는 칩 쪽으로 뻗을 수 있다. 절단 속도, 날의 상태, 재료 두께, 지지가 서로 영향을 주므로 속도 하나만 올려 생산성을 판단할 수 없다. 가공수가 있어도 공급 위치가 어긋나거나 배출이 원활하지 않으면 열과 입자를 충분히 처리하지 못할 수 있다.
절단 깊이도 단순히 깊게 설정하면 해결되는 문제가 아니다. 완전히 분리해야 하는 공정에서 깊이가 부족하면 얇은 연결부가 남아 픽업 때 예측하지 못한 방향으로 깨질 수 있다. 반대로 필요 이상으로 깊으면 테이프 손상과 지지 불안정 등의 문제가 생길 수 있다. 윗면에서 보이는 치핑과 뒷면의 치핑은 관찰 위치도 발생 조건도 다를 수 있으므로 한쪽만 보고 전체 품질을 판단하지 않는다. 후속 조립에서 깨진 칩도 원인이 그 조립 단계에만 있다고 단정하면 안 된다. 다이싱 때 생긴 작은 균열이 당시에는 외관 검사에 잘 보이지 않다가 픽업이나 접합 하중을 받으며 커지는 경우를 검토해야 하기 때문이다.
레이저 다이싱도 한 종류로 묶으면 원리를 놓친다. 표면에서 재료를 제거하는 방식과 달리, 스텔스 다이싱은 재료 내부에 레이저를 모아 변질층을 만든 뒤 테이프 확장 등으로 칩을 분리한다. DISCO는 내부 가공에 따른 절삭 부산물 억제와 좁은 절단 길의 가능성을 설명하지만, 어떤 재료와 두께에서나 무조건 손상이 없다는 보장은 아니다. 빛이 내부의 목표 위치까지 도달해야 하고, 형성된 층을 따라 원하는 방향으로 분리가 진행되어야 한다. 따라서 블레이드는 낡은 방식이고 레이저는 항상 우월하다는 서열보다, 제품의 재료·막 구조·물 사용 가능 여부·요구 강도에 맞는 방식을 고르는 관점이 정확하다. 서로 다른 분리 원리는 서로 다른 결함과 관리 항목을 만든다.
검사와 픽업까지 보아야 수율과 사업을 읽을 수 있다
절단이 끝난 프레임에는 여러 칩이 원래의 배열을 유지하며 남아 있다. 필요한 세정과 건조를 거친 뒤 가장자리 손상, 이물, 미분리, 칩 이동 등을 확인한다. 웨이퍼 검사에서 얻은 칩 위치와 양불 정보도 후속 장비가 올바르게 읽어야 한다. 물리적으로 잘 분리했어도 지도의 방향이나 좌표 해석이 틀리면 불량 칩을 집거나 정상 칩을 건너뛸 수 있기 때문이다. 외관 검사는 보이는 결함을 찾는 수단이며 모든 내부 균열과 전기적 불량을 대신 검증하지 않는다. 제품의 요구에 따라 강도 평가나 후속 신뢰성 평가를 연결하고, 어느 검사 단계에서 어떤 위험을 걸러내는지 구분해야 한다.
픽업은 테이프에 붙은 칩을 개별적으로 떼어 다음 공정에 전달하는 과정이다. 적용 방식에 따라 테이프 아래에서 칩을 밀어 올리는 동작과 위에서 진공 도구로 잡는 동작을 조합한다. 이때 칩을 떼는 힘은 테이프의 점착력과 면적, 박리 방식에 영향을 받고, 칩이 버틸 수 있는 힘은 두께와 균열 상태에 영향을 받는다. 자외선을 조사했다고 픽업 성공이 자동으로 결정되는 것이 아닌 이유다. 같은 조건에서 특정 위치의 칩만 실패한다면 점착력의 불균일, 확장 상태, 장비 위치 오차 등을 나누어 확인해야 한다. 절단 직후의 수율과 픽업 이후의 양품 수율을 함께 기록해야 중간 검사만 통과한 공정의 약점을 찾을 수 있다.
사업을 읽을 때에는 장비가 시간당 몇 장을 자르는지와 고객이 시간당 몇 개의 쓸 수 있는 칩을 얻는지를 연결해야 한다. 절단 속도를 높여도 정렬 재시도, 칼날 교체, 세정 대기, 픽업 불량이 늘면 최종 생산량이 개선되지 않을 수 있다. 더 얇은 칩이나 좁은 스트리트에 대한 요구는 정밀 가공·테이프·검사 기술의 필요성을 높일 수 있다는 정도의 공정상 추론은 가능하다. 그러나 특정 회사의 매출이나 이익 증가를 이 사실만으로 단정할 수는 없다. 고객의 실제 채택률, 생산량, 기존 장비의 활용률, 소모품 수명, 공급 가격과 경쟁 방식이 추가로 필요하다. 공식 자료에 나오는 적용 가능성과 양산 고객의 검증 완료, 시장 전체의 채택 확대는 서로 다른 단계다.
각 단계에서 실제로 일어나는 일
웨이퍼 지지
- 투입 · 시작 상태
- 두께 가공과 필요한 검사를 마친 웨이퍼, 제품에 맞는 다이싱 테이프, 링 프레임이 들어온다. 앞 단계에서 사용한 보호 테이프와의 전환 순서도 확인한다.
- 작동 · 무엇을 하는가
- 웨이퍼를 테이프에 균일하게 붙이고 프레임에 고정한다. 기포·주름·오염·휘어짐과 고정 상태를 확인하여 가공 중 받침이 약해질 구간을 줄인다.
- 결과 · 무엇이 달라지는가
- 절단 전 웨이퍼와 절단 후 개별 칩을 같은 배열로 지지할 수 있는 프레임 상태가 된다.
- 이 단계가 필요한 이유
- 얇은 재료가 가공 하중에 의해 휘거나 분리된 칩이 이동하는 것을 억제해야 절단선과 칩 상태를 유지할 수 있다.
- 잘못되면 생기는 문제
- 불균일한 부착은 국소 변형과 치핑의 원인 후보가 된다. 점착력이 지나치게 약하면 칩 이동, 지나치게 강하면 후속 픽업의 부담을 키울 수 있다.
절단 길 정렬
- 투입 · 시작 상태
- 지지된 웨이퍼, 칩 배열과 스트리트 정보, 영상으로 인식할 기준 무늬가 필요하다.
- 작동 · 무엇을 하는가
- 카메라가 위치와 회전 오차를 파악하고 절단 경로를 정한다. 제품 변형에 따라 여러 지점을 확인하며 실제 가공된 홈의 위치와 폭도 점검한다.
- 결과 · 무엇이 달라지는가
- 회로의 안전 영역을 침범하지 않도록 보정된 절단 경로와 그 경로를 검증할 기준을 얻는다.
- 이 단계가 필요한 이유
- 스트리트 안에서 가공해야 정상 회로를 보존할 수 있다. 영상 인식의 성공과 실제 가공 위치의 일치는 따로 확인해야 한다.
- 잘못되면 생기는 문제
- 기준 무늬 오인식, 잘못된 칩 간격, 회전 오차, 위치에 따라 다른 변형을 놓치면 한 방향 또는 특정 구역에서 반복적인 손상이 생길 수 있다.
분리 가공
- 투입 · 시작 상태
- 정렬된 웨이퍼와 제품별로 검증한 가공 조건이 들어온다. 블레이드 방식과 내부 레이저 방식은 필요한 도구와 조건이 서로 다르다.
- 작동 · 무엇을 하는가
- 블레이드는 재료를 제거하며 절단하고, 스텔스 다이싱은 내부 변질층을 형성한 뒤 확장 등으로 나눈다. 방법에 맞게 깊이·속도·냉각 또는 초점과 분리 조건을 관리한다.
- 결과 · 무엇이 달라지는가
- 칩 사이의 연결이 필요한 범위에서 끊어지고, 칩은 테이프 위에 유지된다. 내부 레이저 방식에서는 변질층 형성과 실제 분리가 별도 단계가 될 수 있다.
- 이 단계가 필요한 이유
- 물리적 연결을 끊으면서 손상이 남겨 둘 칩으로 퍼지는 것을 제한해야 한다. 절단 완료와 충분한 칩 강도를 동시에 확보하는 것이 목적이다.
- 잘못되면 생기는 문제
- 치핑·균열·이물·미분리와 지지 테이프 손상이 대표적인 확인 대상이다. 손상 형태만으로 한 가지 원인을 단정하지 말고 재료와 장비·가공 조건의 변화를 함께 본다.
검사와 픽업
- 투입 · 시작 상태
- 분리된 칩 배열, 필요한 세정·건조를 마친 프레임, 앞선 웨이퍼 검사의 양불 지도와 후속 조립 조건이 전달된다.
- 작동 · 무엇을 하는가
- 외관과 분리 상태를 검사하고 칩 좌표를 확인한다. UV 반응형 테이프라면 규정된 처리를 적용한 뒤 픽업 도구로 정상 칩을 집어 올린다.
- 결과 · 무엇이 달라지는가
- 위치와 검사 이력이 연결된 개별 칩이 접합 공정으로 넘어가며, 절단 후와 픽업 후의 손실을 구분한 기록이 남는다.
- 이 단계가 필요한 이유
- 잘린 모양이 정상이어도 이동 중 파손되거나 잘못된 칩을 선택하면 앞선 공정의 가치를 보존할 수 없다.
- 잘못되면 생기는 문제
- 과한 박리 하중, 불균일한 점착력, 픽업 위치 오차, 좌표 지도 오류를 살핀다. 외관 합격만으로 내부 균열이나 최종 전기 특성까지 보장하지 않는다.
비교하고, 숫자로 확인하기
같은 분리를 서로 다른 기준으로 보기
| 비교 항목 | 블레이드 다이싱 | 스텔스 다이싱 |
|---|---|---|
| 주요 원리 | 연마입자를 가진 회전 날로 재료를 제거해 홈을 만든다. | 재료 내부에 변질층을 만든 뒤 확장 등의 힘으로 분리한다. |
| 절단 길과 부산물 | 실제 제거되는 홈 폭과 발생 입자의 관리가 필요하다. | 좁은 절단 길과 부산물 억제의 가능성이 있으나 적용 재료와 조건에 의존한다. |
| 중요 관리 항목 | 날의 상태, 가공 하중, 깊이, 냉각과 지지 상태를 함께 본다. | 빛의 내부 도달, 초점 위치, 변질층 형성, 후속 분리의 균일성을 본다. |
| 선택 판단 | 검증된 가공 조건에서 최종 칩 강도와 처리량·비용을 평가한다. | 동일 제품의 최종 양품 수와 총공정 비용을 확인해야 우열을 판단할 수 있다. |
가상 사례: 더 빨리 자른 조건이 양품도 더 많이 만들까
이해를 위한 가상의 수치이며 실제 장비 성능이나 업계 평균이 아니다. 두 조건 모두 웨이퍼당 앞선 검사에서 정상인 칩이 1,000개라고 하자. 조건 가는 웨이퍼당 총 처리시간 12분, 다이싱 생존율 99%, 그 생존 칩의 픽업 성공률 99%다. 조건 나는 총 처리시간 10분, 다이싱 생존율 96%, 그 생존 칩의 픽업 성공률 98%다. 총 처리시간은 이 예시에서 정렬과 세정까지 포함하고, 연속 가동과 충분한 후속 처리능력을 가정한다.
조건 가의 최종 양품
웨이퍼당 기대 양품 수는 1,000 × 0.99 × 0.99 = 980.1개다. 소수는 한 장에서 칩 일부가 생긴다는 뜻이 아니라 많은 웨이퍼의 평균 기대값이다. 시간당 60 ÷ 12 = 5장을 처리하므로 기대 양품은 4,900.5개다.
조건 나의 최종 양품
웨이퍼당 기대 양품 수는 1,000 × 0.96 × 0.98 = 940.8개다. 시간당 처리량은 6장이므로 기대 양품은 5,644.8개다. 이 가정에서는 시간당 양품이 약 15.2% 늘지만 웨이퍼 한 장에서 잃는 정상 칩은 더 많다. 속도가 개선됐다는 사실과 재료를 덜 낭비한다는 판단은 같지 않다.
투입 웨이퍼 비용까지 보기
앞선 공정까지 누적된 웨이퍼 비용을 가상으로 장당 100만 원이라 두면, 이 비용만의 양품당 배분액은 조건 가 약 1,020원, 조건 나 약 1,063원이다. 조건 나는 시간당 생산량이 더 커도 이 비용 항목은 약 4.2% 나빠진다. 실제 선택에는 장비 시간의 가치, 칼날과 테이프 비용, 검사 부담, 추가 파손을 더해야 한다.
이 예제로 알 수 있는 것공정 최적화는 시간당 양품과 양품당 총비용을 함께 보는 일이다. 이 예시만으로 조건 나를 채택하거나 폐기할 수 없으며, 실제 병목과 최종 신뢰성까지 확인해야 한다. 앞선 검사에서 이미 탈락한 칩을 다이싱 불량으로 다시 세지 않도록 각 수율의 분모도 명확하게 정해야 한다.
핵심 용어
다이
웨이퍼 위에 만들어진 개별 반도체 회로 단위.
스크라이브 레인
다이 사이에 둔 절단·분리용 길.
치핑
절단 과정에서 가장자리가 작게 깨지는 현상.
공정에서 소부장으로
블레이드 다이서, 레이저 다이서, 그라인더
다이싱 테이프, 냉각·세정용 초순수
다이싱 블레이드, 스핀들, 정렬용 광학계
- DISCO · 웨이퍼 절단·연삭 장비와 가공 공구
- 이오테크닉스 · 반도체 레이저 그루빙·다이싱 장비
- 한미반도체 · 패키지 절단용 micro SAW 등 후공정 장비; 웨이퍼 분리와 적용 대상을 구별
특정 고객 공급 여부나 투자 수혜를 확정하는 목록은 아닙니다.
투자자는 무엇을 볼까요?
얇고 복잡한 칩은 정밀 절단 수요를 높일 수 있습니다. 그러나 장비 수요는 실제 처리 물량, 기존 장비의 여유 능력, 해당 방식의 양산 채택에 달려 있습니다. 레이저 기술 발표만으로 매출 증가를 단정하지 않습니다.
산업 뉴스 읽기
“얇은 웨이퍼용 절단 장비 평가 시작”
평가 시작은 양산 주문과 다릅니다. 절단 손상률, 시간당 처리량, 고객의 실제 채택 여부를 확인해야 한다는 연습 사례입니다.
이해를 한 단계 더 깊게
헷갈리기 쉬운 생각을 바로잡기
“전기 검사에 합격한 칩은 다이싱에서 잘라내기만 하면 된다.”
전기적 정상과 기계적 건전성은 다른 조건이다. 절단과 픽업에서 발생한 균열·오염·파손이 앞선 합격 결과를 무효로 만들 수 있으므로 분리 이후의 생존율을 별도로 확인한다.
“스트리트를 좁히면 칩 수가 늘어나므로 언제나 수익성이 좋아진다.”
배치 가능한 칩 수의 증가는 가능하지만 정렬·절단·손상에 허용되는 여유가 작아진다. 추가 칩의 가치보다 공정 손실이나 비용 증가가 크면 전체 경제성이 나빠질 수 있다. 실제 칩 배치와 최종 양품 수로 검증해야 한다.
“레이저는 닿지 않으니 손상이 없고, UV 조사만 하면 픽업도 끝난다.”
비접촉 가공도 재료에 에너지를 주고 분리 조건을 만들어야 하므로 결함 관리가 필요하다. UV 반응형 테이프에 대한 조사는 점착력을 줄이는 단계이며, 칩을 손상 없이 떼는 기계적 픽업과는 구별된다.
내 말로 설명해 보기
1. 스트리트 폭을 그대로 둔 채 실제 커프가 넓어지면 무엇이 줄어들며, 위치만 보정하면 충분한가?
칩의 보호 영역까지 남는 여유가 줄어든다. 홈 자체가 넓어진 것인지 가장자리가 깨져 넓어 보이는지를 구분하고, 날의 상태·하중·지지를 확인해야 하므로 위치 보정만으로 충분하지 않을 수 있다.
2. 절단 직후 외관은 정상인데 픽업에서 얇은 칩이 반복해서 깨지면 어떤 원인 흐름을 검토해야 할까?
절단 때 생긴 미세 균열이 픽업 하중에서 커졌을 가능성과 테이프 점착력·박리 방식·도구 위치가 부적절한 가능성을 나누어 본다. 파손이 드러난 단계와 결함이 시작된 단계가 반드시 같지는 않다.
3. 좁은 스트리트에 대응하는 장비가 발표되면 해당 업체의 실적 증가까지 바로 결론내릴 수 있을까?
공정의 요구를 해결할 가능성은 읽을 수 있지만 실적을 단정할 수는 없다. 고객 검증과 채택, 실제 생산량, 기존 설비의 여력, 판매 가격과 경쟁 구도를 확인해야 기술적 필요가 사업 성과로 연결되는지 판단할 수 있다.
1분 요약
- 다이싱은 웨이퍼를 개별 다이로 분리한다.
- 절단 속도와 손상률을 함께 봐야 한다.
- 웨이퍼 절단과 패키지 절단은 대상이 다르다.